【电报解读】三星电子完成900层超高堆叠3D NAND闪存原型开发,机构称3D NAND对刻蚀设备的需求比例将显著加大,这家公司的刻蚀设备可覆盖DRAM及NAND存储产线多种设备的技术需求
电报解读
2026.05.25 20:02 星期一
//电报内容
【消息称三星电子完成900层超高堆叠3D NAND闪存原型开发】《科创板日报》25日讯,三星电子近期利用单元多层键合 (CMB) 技术连接两片450层3D NAND,构建了全球首个900层超高堆叠3D NAND闪存原型,这一样品的存储单元工作特性已得到验证。 (ETNews)
//解读摘要
三星电子完成900层超高堆叠3D NAND闪存原型开发,机构称3D NAND对刻蚀设备的需求比例将显著加大,这家公司的刻蚀设备可覆盖DRAM及NAND存储产线多种设备的技术需求,已批量服务刻蚀、薄膜沉积、晶圆制造三大环节头部客户。
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