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HBM
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HBM是一种基于3D堆叠工艺的dram内存芯片,由多层dram堆叠
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2026-01-28 06:27 来自 上证报
【存储芯片公司业绩亮眼 行业高景气2026年仍将持续】
财联社1月28日电,随着上市公司2025年度业绩预告进入高峰期,存储芯片产业链公司的盈利能力增长成为市场的一道风景线。探究发现,存储芯片公司业绩增长的主要原因是,受AI及算力产业发展拉动,产业进入高景气周期、产品持续涨价。记者采访获悉,从全球来看,2026年,存储芯片产业高景气仍将持续,涨价有望持续全年。尤其是,在AI需求拉动下,HBM(高带宽内存)赛道高景气度有望延续至2028年。抢抓景气周期机遇,存储相关上市公司也进入扩产周期。除了三星、美光等头部公司,佰维存储、江波龙、德明利、兆易创新等A股公司也在积极扩产,普冉股份等则加快并购步伐以加码主业。 (上证报)
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2026-01-27 11:44 来自 TheElec
【SK海力士将独家为Maia 200供应HBM3E芯片】
《科创板日报》27日讯,SK海力士将独家向微软Maia 200提供HBM3E芯片。据悉,Maia 200搭载的HBM3E内存总容量为216GB,其配备了六个12层HBM3E内存模块,每个模块容量为36GB。 (TheElec)
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2026-01-26 09:48
财联社1月26日电,三星据悉接近获英伟达批准,将供应HBM4人工智能存储芯片。
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2026-01-22 19:50 来自 TheElec
【三星电子HBM4E基础芯片进入后端设计阶段】
《科创板日报》22日讯,三星电子正在开发的第七代高带宽存储器(HBM4E)的基础芯片已进入后端设计阶段。此外,该公司最近制定了新的HBM路线图,旨在加快实现HBM4、HBM4E、HBM5三代产品量产。 (TheElec)
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2026-01-21 17:55 来自 ZDNet
【三星正采用2nm制程工艺设计HBM逻辑芯片】
《科创板日报》21日讯,三星正在采用2nm制程工艺设计用于定制化HBM的逻辑芯片,其于此前已将4nm制程应用于HBM4(第六代HBM)的逻辑芯片,该产品预计将于今年投入商业化生产。 (ZDNet)
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2026-01-20 16:29
【小摩:HBM进入第四年上升周期 结构性短缺或延续至2028年】
财联社1月20日电,摩根大通发布了一份关于亚太地区存储行业的深度研究报告,聚焦于高带宽存储器(HBM)市场的发展趋势及其对存储行业的深远影响。报告指出,HBM市场自2023年起已进入第四年的上升周期,并预计这种增长态势将延续至2027年。随着人工智能(AI)和高性能计算(HPC)需求的激增,HBM技术的重要性愈发凸显,其在AI资本支出和收入中的占比持续上升,成为推动存储行业增长的关键力量。
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2026-01-18 08:56 来自 科创板日报 张真
SK海力士、三星加速HBF商业化进程 “HBM之父”:最快明年用于英伟达产品
①SK海力士计划最早于今年推出HBF1样品;
②金正浩预测,到2038年左右HBF市场将超过HBM市场。
③随着AI需求不断加大,如今各存储厂商正纷纷扩充产能。
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2026-01-15 08:44 来自 ChosunBiz
【英伟达2025Q4再次提高HBM4供应标准】
《科创板日报》15日讯,英伟达去年第四季度再次提高了对三星电子和SK海力士的HBM4芯片供应标准。作为回应,三星电子正在修改其逻辑芯片设计,并与代工部门合作,重点关注散热控制和性能提升,加快研发进度。 (ChosunBiz)
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2026-01-13 20:04 来自 TheElec
【LG电子开发HBM混合键合堆叠设备早期版本】
《科创板日报》13日讯,LG电子正在开发用于高带宽存储器(HBM)的混合键合堆叠设备(键合机)早期版本。该项目计划于2029年完成,目标精度设定为200纳米。不过,这一精度规格与Besi公司已实现商业化的100纳米精度存在差距。消息人士指出,基于这样的精度差异,该键合机在三年后推出时,可能在HBM领域竞争力不足。 (TheElec)
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2026-01-08 14:18
【机构:HBM4受规格提升与英伟达策略调整影响 预估量产时程延至2026年第一季度末】
《科创板日报》8日讯,根据TrendForce集邦咨询最新调查,英伟达于2025年第三季调整Rubin平台的HBM4规格,上修对Speed per Pin的要求至高于11Gbps,致使三大HBM供应商需修正设计。此外,AI热潮刺激NVIDIA前一代Blackwell产品需求优于预期,Rubin平台量产时程顺势调整。两项因素皆导致HBM4放量时间点延后,预期最快于2026年第一季末进入量产。
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2026-01-07 12:54 来自 ETNews
【消息称美光今年HBM4增产幅度占总产能近30%】
《科创板日报》7日讯,美光计划今年将其HBM4产能提升至每月1.5万片晶圆。业界预估美光HBM总产能约为每月5.5万片晶圆,这1.5万片晶圆的增产幅度占美光科技总产能的近30%。美光CEO Sanjay Mehrotra在近期的财报电话会议上透露,计划从第二季度开始提高HBM4的产量,且HBM4的良率增长速度将超过HBM3E。美光预计将在完成与英伟达的性能评估后,于第二季度开始量产HBM4。 (ETNews)
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2026-01-06 11:44
【AMD推出下一代新品 4年内AI芯片性能有望提升1000倍】
财联社1月6日电,AMDCEO苏姿丰在CES演讲中表示,下一代AI芯片MI455GPU采用两纳米和三纳米工艺制造,并采用先进封装,搭载了HBM4。MI455GPU将与EPYCCPU一同集成,下一代AI机架Helios机架将包含72个GPU,通过连接数千个Helios机架可构建大AI集群。此外,MI500系列芯片也在开发中,将采用两纳米工艺。随着MI500系列在2027年推出,AMD有望在4年时间内将AI性能芯片提升1000倍。
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2026-01-06 07:11
【SK海力士将在CES首次亮相下一代HBM产品】
财联社1月6日电,SK海力士宣布,公司将于当地时间1月6日至9日,在美国拉斯维加斯举办的“CES 2026”威尼斯人会展中心设立专属客户展馆,并集中展示面向AI的下一代存储器解决方案。本次展会上,公司将首次亮相下一代HBM产品“16层48GB HBM4”。此外,公司将展出12层36GB HBM3E产品,并同步展出搭载该产品的全球客户AI服务器GPU模块。除HBM之外,公司还将展出面向AI服务器的低功耗内存模组SOCAMM2。
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2026-01-05 11:07 来自 财联社 刘蕊
三星“王者归来”?HBM4赢回客户青睐 股价大涨超6%再创新高
①三星电子股价周一开盘大涨,刷新历史新高,主要受市场对HBM芯片市场和三星公司业绩前景信心推动;
②三星电子联席CEO全永铉在新年致辞中的乐观言论,激发了人们对该公司人工智能前景的乐观预期,推动股价上涨。
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2026-01-04 15:33 来自 TheElec
【SK海力士DRAM集群洁净室启用时间提前至2027年3月】
《科创板日报》4日讯,SK海力士将于2027年3月在其位于龙仁半导体产业集群的生产基地启用首个洁净室,比原计划提前约两个月,为扩张DRAM产能做准备。据悉,该集群是下一代DRAM内存生产基地,其产能包括高带宽内存(HBM),目前正在建设中。 (TheElec)
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2026-01-02 07:19
财联社1月2日电,三星电子首席执行官表示,三星HBM4展现差异化竞争力。
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2025-12-31 08:37
【盘前题材挖掘】
①2026年“国补”首次纳入智能眼镜,AI眼镜行业有望迎高速增长。②个人购房2年以下增值税税率降至3%,房地产市场或加快止跌回稳。③HBM引领AI浪潮下的存储革命,相关产业链投资价值凸现。
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2025-12-31 07:42 来自 财联社
HBM引领AI浪潮下的存储革命 相关产业链投资价值凸现
①据媒体报道,三星电子平泽P4工厂建设项目正在加速推进,其设备的安装和测试运行目标已比原计划提前2-3个月。
②国盛证券表示,打破内存墙瓶颈,HBM已成为DRAM市场增长主要驱动力。
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2025-12-30 15:48 来自 ETNews
《科创板日报》30日讯,三星电子计划到2026年底实现每月25万片HBM晶圆的产能,较目前的每月17万片产能提升47%。 (ETNews)
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2025-12-29 16:29
【消息称三星平泽P4工厂建设提速 HBM4量产或提前】
《科创板日报》29日讯,三星电子平泽P4工厂建设项目正在加速推进,其设备的安装和测试运行目标已比原计划提前2-3个月。该工厂将成为三星10nm第六代(1c)DRAM生产的核心,三星率先将1c DRAM用于第六代HBM(HBM4)芯片。
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