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HBM
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HBM是一种基于3D堆叠工艺的dram内存芯片，由多层dram堆叠
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2026-03-13 09:00 来自 台湾电子时报
《科创板日报》13日讯，消息称三星电子计划在下一代高带宽存储器（HBM）的基础裸晶上导入2纳米制程，以同时提升技术竞争力。 (台湾电子时报)
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2026-03-12 15:54
【机构：内存供应短缺至少持续至2027年下半年】《科创板日报》12日讯，市场调查机构CounterPoint Research表示，与以往的周期不同，当前内存市场即使价格上涨，需求也不会下降。供应短缺问题至少要到2027年下半年才能得到实质性解决。因构建人工智能数据中心对服务器DRAM和高带宽内存(HBM)的需求已经超过了整个市场的需求。
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2026-03-11 20:11
【存储产能争夺战再升温 AMD欲联手三星电子锁定HBM供给】财联社3月11日电，知情人士表示，AMD首席执行官苏姿丰将于下周在韩国会见韩国科技霸主三星电子会长李在镕，双方将重点讨论在用于人工智能芯片组件的高带宽存储(即HBM存储系统)供应保障方面开展积极合作。知情人士表示，预计苏姿丰还将与韩国最大互联网门户和搜索引擎提供商Naver讨论更广泛的AI算力基础设施合作前景。
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2026-03-09 08:47 来自 韩国经济日报
【消息称英伟达Vera Rubin芯片仅采用三星和SK海力士HBM4技术】《科创板日报》9日讯，英伟达计划在今年下半年推出下一代AI加速器Vera Rubin。该产品将采用三星电子和SK海力士提供的第6代高带宽内存HBM4，而全球第三大内存厂商美光被排除在Vera Rubin的HBM4供应链之外。 (韩国经济日报)
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2026-03-04 09:37 来自 科创板日报 张真
HBM竞赛白热化！SK海力士探索封装新方案 或满足英伟达峰值性能目标
①目前该项技术正处于验证阶段，近期其内部测试已取得积极成果；
②为增强HBM稳定性，SK海力士计划增加部分上层DRAM芯片的厚度；
③封装新方案旨在不大幅改变现有工艺流程的前提下，缩小DRAM间距并保持稳定的良率。
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2026-03-04 08:29 来自 ZDnet
【SK海力士推进全新HBM封装技术 或缩小DRAM层间距】《科创板日报》4日讯，SK海力士正在推进一项旨在提升HBM4稳定性和性能的封装技术革新，其核心措施包括增加DRAM厚度和缩小DRAM层间距，目前该技术正在验证阶段。若其成功商业化，将有效缩小HBM4及未来产品在DRAM性能上的差距。 (ZDnet)
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2026-03-03 08:45 来自 韩国经济日报
【三星引入全新供电架构以降低HBM缺陷率】《科创板日报》3日讯，设计高效且结构良好的电源分配网络正成为HBM行业面临的最关键挑战之一，三星预计将于今年开始量产HBM4E，并引入一种全新的供电架构——PDN分段技术。据悉，采用新的供电网络后，HBM4E的金属电路缺陷相比HBM4减少了97%，IR压降降低了41%。更低的IR压降扩大了电压裕度，从而提高了运行速度并增强了芯片的整体可靠性。 (韩国经济日报)
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2026-03-01 11:48
【博通推出3.5D定制化封装平台】《科创板日报》1日讯，博通推出业界首个3.5D XDSiP定制化封装平台，并已开始首次批量生产出货。其首位客户为富士通公司，该平台通过混合键合技术实现信号密度提升7倍且功耗降至十分之一，单台设备可搭载6至12颗HBM4。
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2026-03-01 09:28 来自 科创板日报 张真
HBM份额争夺战打响！三星率先亮出底牌 或增大DRAM尺寸
①芯片尺寸的扩大能保证TSV（硅通孔）工艺的稳定性，同时便于散热；
②三星电子在HBM4核心芯片中采用1c DRAM技术，目前良率约60%；
③SK海力士和美光在其HBM4芯片中使用了与HBM3E相同的1b DRAM芯片。
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2026-02-27 15:02 来自 ZDNet
【三星电子拟增大DRAM尺寸以提升HBM4性能】《科创板日报》27日讯，三星电子正集中精力提高1c DRAM的良率，同时抢占HBM4市场份额。具体而言，三星电子决定增大其第六代10nm级DRAM芯片的尺寸，从而同时提升DRAM和HBM4的稳定性。 (ZDNet)
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2026-02-26 14:02
【机构：涨价效应带动2025年第四季度DRAM产业营收成长达29.4%】《科创板日报》26日讯，根据TrendForce集邦咨询最新调查显示，由于AI应用由LLM模型训练延伸至推理，推动CSPs业者的数据中心建置重心由AI Server延伸至General Server，进一步推动存储器采购重心由HBM3e、LPDDR5X及大容量RDIMM延伸至各类容量的RDIMM，积极释出追加订单，带动Conventional DRAM的合约价大幅上涨，2025年第四季DRAM产业营收为535.8亿美元，较上季度增加29.4%。
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2026-02-25 09:53 来自 ET News
【消息称三星电子1c DRAM良率超80% HBM4良率接近60%】《科创板日报》25日讯，业内人士透露，三星电子内部已实现1c DRAM 80%的良率，这是在高温环境下（热测试）取得的最高良率，2025年第四季度其良率约为60-70%，如今已显著提升，并有望在5月份左右达到90%。业内人士进一步表示，三星基于1c DRAM的HBM4的良率也有所提高，已接近60%，去年第四季度约为50%。 (ET News)
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2026-02-21 18:20
【SK海力士高盛电话会：所有客户需求都无法满足 今年存储价格持续上涨】财联社2月21日电，在2月20日举行的虚拟投资者会议上，SK海力士向高盛透露了存储市场的最新动态。SK海力士在高盛电话会上释放强烈信号：存储行业已全面进入卖方市场。受AI真实需求驱动及洁净室空间受限影响，今年存储价格将持续上涨。公司透露目前DRAM及NAND库存仅剩约4周，且没有任何客户能完全满足需求。随着2026年HBM产能售罄，标准型DRAM的极度短缺正显著提升供应商议价权，产业链已开启长期合约谈判以锁定未来供应。在AI需求爆发与供应瓶颈的共振下，存储芯片正全面进入“卖方市场”，海力士明确表示今年所有客户的需求都无法得到完全满足，价格上涨已成定局。
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2026-02-19 07:12
财联社2月19日电，三星据称正就HBM4组件的价格进行谈判，预计价格约为700美元。
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2026-02-13 17:21 来自 ChosunBiz
【为HBM5、HBM6铺路 韩美半导体推出新型宽幅热压键合设备】《科创板日报》13日讯，韩美半导体推出新型宽幅热压键合设备。据报道，韩美半导体发布的新型宽幅热压键合设备主要是为下一代高带宽内存产品HBM5、HBM6打造。这项技术相比传统的高堆叠方式能够改善功耗，还有利于提升内存容量以及带宽。 (ChosunBiz)
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2026-02-13 12:10
【机构：预计HBM4验证将于2026年第二季度完成】财联社2月13日电，根据TrendForce集邦咨询最新HBM产业研究，随着AI基础建设扩张，对应的GPU需求也不断成长，预期英伟达Rubin平台量产后，将带动HBM4需求。目前三大存储器原厂的HBM4验证程序已进展至尾声，预计将在2026年第二季陆续完成。其中，三星凭借最佳的产品稳定性，预期将率先通过验证，SK海力士、美光随后跟上，可望形成三大厂供应英伟达HBM4的格局。
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2026-02-12 15:50
财联社2月12日电，三星预计2026年HBM收入将增长逾两倍。
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2026-02-12 14:36
【三星电子股价收涨6.44% 创历史新高】财联社2月12日电，三星电子股价收盘上涨6.44%，创历史新高。消息面上，三星电子已开始大规模生产HBM4，并向客户进行商业发货。
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2026-02-12 14:05
【三星电子：已开始大规模生产HBM4 并向客户进行商业发货】财联社2月12日电，三星电子表示，已向客户开始进行“顶级性能”HBM4 的商业发货，这是这家韩国芯片巨头在销售用于驱动生成式人工智能所需的高端半导体的竞赛中取得的关键突破。

三星周四在一份声明中表示，已开始大规模生产HBM4。HBM4E的样品预计将于2026年下半年开始提供，而定制版HBM样品将于2027年开始交付给客户。声明称，与上一代产品相比，采用新型HMB4芯片的“单个堆栈总内存带宽提升了2.7倍”。三星执行副总裁兼存储器开发部门负责人Sang Joon Hwang表示：“三星未沿用传统的成熟设计，而是大胆采用了最先进的制程工艺”。
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2026-02-12 11:08 来自 TheElec
【退出英伟达HBM4供应名单？美光否认传闻：已量产出货】《科创板日报》12日讯，此前有传言称美光可能被排除在英伟达的HBM4供应商名单之外，美光首席财务官马克·墨菲(Mark Murphy)回应称：“关于第六代高带宽内存(HBM4)有一些不准确的报道，但美光已经开始量产HBM4。”他强调，美光已经开始向客户交付HBM4，预计第一季度出货量将大幅提升。 (TheElec)
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