HBM

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HBM是一种基于3D堆叠工艺的dram内存芯片，由多层dram堆叠

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2026-07-27 18:15

【三星电子确认HBM5将采用2纳米GAA工艺速度较HBM4E提升50%以上】财联社7月27日电，三星电子27日发布对公司半导体事业部技术开发室长具子铉的采访。具子铉表示，预计下一代HBM5内存的运行速度将比HBM4E快50%以上，“HBM5基础芯片将采用GAA结构的2纳米工艺，并实现更高集成度的硅通孔（TSV）”。具子铉称，三星电子将基于在4纳米HBM4基础芯片上获得的经验和技术竞争力，提前在HBM5中引入2纳米工艺，并拓展与移动、HBM、AI、HPC、汽车电子、机器人等领域的客户合作，引领半导体生态系统进一步发展壮大。

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2026-07-27 13:51

【存储模组厂商宇瞻科技：DRAM、企业级SSD供需失衡至少持续到明年上半年】财联社7月27日电，据报道，台湾存储模组厂商宇瞻科技执行长近日表示，随全球三大DRAM原厂新增产能几乎全面投入AI产品，一般市场供货持续减少，供需失衡短期仍难缓解。他直言，全球三大DRAM原厂新增产能几乎全面投入HBM、伺服器DDR5及LPDDR5X等AI产品，分配给一般DDR5、DDR4及工控市场的颗粒持续减少，模组厂目前面临最大的挑战已不是价格，而是供货不足。他表示，依原厂供货规划，未来可分配给模组厂的DRAM供应量仍将持续下降，不仅价格持续走高，各家模组厂也积极建立库存，避免未来面临无货可卖风险。他说，即使采购成本垫高，仍必须提前备货，因为买得贵还可以做生意，买不到货就没有生意可做。张家𫘥表示，目前较能确定的是，2027年上半年以前供应吃紧趋势仍相当明确；至于2027年下半年后，仍须观察各家原厂扩产及AI需求变化。

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2026-07-27 08:01 来自财联社

三星、SK与美企签下9500亿美元大单存储行业估值有望向成长股演进

①三星电子、SK集团与美企签下9500亿美元半导体大单。韩国总统政策办公室主任金容范表示，这是 “长期采购合同”而非意向性文件。
②国联民生证券认为，存储原厂估值体系有望由传统周期股框架，逐步向成长制造业框架演进，行业估值中枢存在系统性提升空间。

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2026-07-25 13:13

【三星电子宣布与博通公司签署谅解备忘录涵盖至2030年价值高达2000亿美元的存储芯片、代工服务和先进封装业务】财联社7月25日电，三星电子称，与博通公司签署谅解备忘录，涵盖至2030年价值高达2000亿美元的存储芯片、代工服务和先进封装业务；将与博通公司合作，基于三星的HBM技术开发博通公司的下一代人工智能加速器。三星电子还表示，提供亚2纳米代工工艺和先进封装解决方案。

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2026-07-21 17:51

【三星电子扩大与英伟达NAND供应合作加速V9、V10闪存布局】财联社7月21日电，三星电子正扩大与英伟达在NAND闪存领域的合作，在此前已开展DRAM、高带宽内存（HBM）及晶圆代工合作的基础上，进一步深化存储芯片供应关系。据报道，三星已开始量产第十代V-NAND（V10）并向英伟达供货，同时扩大第九代V-NAND（V9）产能，并推进第十一代500层级V-NAND（V11）开发。据悉，三星目前已具备月产超过10万片V-NAND的产能，其中约60%产能分配给V9产品。

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2026-07-21 13:50

【机构：2026年全球芯片设备销售额有望增长23.2% 到2028年达2295亿美元】财联社7月21日电，根据全球半导体行业协会（SEMI）发布的报告，2026年全球半导体设备销售额预计将增长23.2%，达到1659亿美元，到2028年将创下历史新高，达到2295亿美元。SEMI代表全球约3000家电子设计和制造企业。该协会表示，人工智能基础设施的扩展以及对先进逻辑芯片和下一代存储产品（包括高带宽内存HBM）的投资，将推动市场增长。晶圆制造设备市场规模到2028年预计将达到2000亿美元，这得益于人工智能相关生产能力的扩大以及向先进制造工艺的转型。内存设备投资也预计将显著增长，这主要得益于对HBM（高带宽内存）需求的上升，以及向先进动态随机存取存储器（DRAM）和NAND闪存产品转型。2028年，全球DRAM和NAND设备的销售额预计将分别达到569亿美元和208亿美元。

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2026-07-13 22:17

【机构：晶圆代工涨价延续正从“抢客户”的买方市场向“供应商主导定价”的卖方市场转变】财联社7月13日电，东海证券表示，全球两大晶圆代工龙头台积电与三星电子先后启动新一轮调价，涨价潮传导至下游晶圆代工环节。台积电已通知英伟达、苹果、AMD等核心客户，计划将3nm、5nm及7nm制程价格上调5%-10%，覆盖其七成以上晶圆代工营收。三星电子紧随其后，针对4nm、5nm先进制程及部分车规8nm制程，将新客户供货价格提高约15%。与过往良率稳定后价格逐步下调的惯例不同，本轮涨价核心驱动力为AI芯片订单持续放量，导致先进制程产能长期满载，叠加HBM产能挤占效应与2nm等下一代制程研发及设备投资成本走高，市场供需与投资成本分摊正取代工艺成熟度成为定价主导因素。台积电引领了根据市场状况重新调整节点价格的趋势，而三星更多是针对特定需求集中节点的价格正常化，两者策略虽有差异，但均反映晶圆代工正从“抢客户”的买方市场向“供应商主导定价”的卖方市场转变。

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2026-07-12 14:58

【机构：HBM4价格今年下半年或涨至4-5美元/千比特 AI需求与产能瓶颈致全球DRAM半数产能被大厂锁定】财联社7月12日电，DigiTimes报告显示，受AI需求激增、产能结构性瓶颈影响，下一代HBM4价格2026年下半年或从2美元/千比特涨至4-5美元及以上。这一方面是因为HBM4制造过程的极端复杂性：其生产周期长达四到六个月，且初始良率显著偏低；另一方面，HBM的生产耗用的晶圆容量约为标准DDR5 DRAM的三倍，严重限制了制造商在现有设施中可生产的总内存量。

进一步加剧供应紧张局面的是，当前全球HBM三大主要生产商——三星电子、SK海力士和美光科技正通过与一级AI客户签订为期三到五年的长期协议，锁定全球内存供应。据DigiTimes预测，到2027年，全球DRAM总产能中约有一半将完全无法提供给小型买家。

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2026-07-11 14:23 来自财联社刘蕊

AI热潮推动下行业人士：HBM4价格明年或翻倍

①DigiTimes报告显示，受AI需求激增、产能结构性瓶颈影响，下一代HBM4价格2026年下半年或从2美元/千比特涨至4-5美元及以上；
②全球三大HBM生产商三星、SK海力士、美光正与AI客户签订3-5年长协锁定供应，预计2027年全球近半DRAM产能无法向小型买家开放。

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2026-07-10 15:37

【瑞银：预计2026年高带宽内存（HBM）需求将同比增长90% 2027年将再增长77%】财联社7月10日电，根据瑞银集团（UBS）7 月份发布的《存储芯片月度报告》，存储芯片月销售额达到了创纪录的746亿美元，环比增长31.7%。瑞银表示，随着人工智能（AI）需求持续增长以及长期供应协议（LTA）谈判仍在进行，存储芯片市场周期正在“进一步趋强”，结构性供应不足的局面至少会持续到2028年中期。整体而言，瑞银预计，2026年全年存储芯片行业总收入将达到9920亿美元。到2027年，这一数字预计将几乎翻一番，达到1.76万亿美元。

该行指出，推动这一增长的主要动力是高带宽内存（HBM），这是一种专用于人工智能加速器（例如英伟达的GPU）的DRAM。瑞银预测，2026年HBM的需求将同比增长90%，达到约331亿Gb。预计2027年，需求将再增长77%，达到约587亿Gb。

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2026-07-09 17:52

【三星和SK海力士推迟应用混合键合封装工艺因业内迫切性已大幅降低】财联社7月9日电，三星电子、SK海力士原计划在HBM4用混合键合技术，但目前正在重新考虑。混合键合属于半导体先进封装技术，业内预计最早用于16层HBM4E。两家公司据悉决定继续用传统热压键合技术，因行业放宽HBM厚度标准、客户高堆栈需求延迟调整计划。

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2026-07-08 22:15

【美银：半导体回调属健康修正重申对美光的“买入”评级】财联社7月8日电，美银证券最新发布半导体产业报告指出，近期半导体类股回调属于市场正常修正，而非AI需求转弱的讯号。历史经验显示，半导体类股在夏季经常出现整理，待市场完成获利了结与估值修正后，秋季往往迎来新一波反弹行情。报告预估，到2027年，全球云端运算及AI基础建设资本支出将逼近1.5万亿美元，较目前水准增长约40%至50%。在记忆体芯片方面，该行认为，随着HBM、DDR5及企业级储存需求持续扩大，加上AI服务器持续拉动DRAM及NAND Flash需求，记忆体产业仍将是AI投资浪潮的重要受惠者，估值修复空间依然明确。该行重申对美光的“买入”评级，并维持目标价1550美元，认为公司仍是目前记忆体产业中最具吸引力的投资标的。

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2026-07-08 15:26 来自科创板日报宋子乔

替代HBM4？英特尔公布AI内存新专利采用定制化封装方案

①据报道，这项技术的商业化时间预计将在2030年之后；
②其封装尺寸将与HBM4保持一致，每颗芯片的容量可在0.5GB-5GB之间，运行速度最高可达32GT/s；
③业界均紧锣密鼓研究HBM替代方案。

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2026-07-08 07:30

【三星电子开始量产用于英伟达Vera Rubin平台的先进固态硬盘】财联社7月8日电，三星电子已开始量产其最先进的数据中心存储设备，这一产品将在英伟达即将推出的Vera Rubin平台内使用。这款企业级固态硬盘产品叫做PM1763，于今年早些时候在英伟达GTC大会上发布。三星当时将它与下一代高带宽内存HBM4和低功耗模块SOCAMM2一起展示，作为专为AI数据中心设计的综合方案的一部分。三星周三在声明中表示，这款存储设备采用最新的V-NAND闪存芯片和新研发的4纳米控制器，读写速度较前代产品提升逾一倍。PM1763可以减少先进处理器和AI加速器的数据延迟。三星称，为在AI训练和推理过程中保持高速运行，这款硬盘配备了液冷系统。

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2026-07-06 14:08

【野村证券：市场对于“算力过剩”的担忧可能过度了韩国芯片投资难以快速转化为产能】财联社7月6日电，野村证券分析师在最新报告中表示，市场对于“算力过剩”的担忧可能过度了，存储芯片行业距离下行周期还有很长的路要走。市场实际上目前正面临由人工智能需求引发的严重短缺，由于各大芯片厂厂商优先生产利润更为丰厚的高带宽内存（HBM），导致普通DRAM和NAND的供应受限。野村分析师强调，在这样背景下，对于供应过剩的担忧实属过度。由于半导体产业建设和开发周期往往需要很长时间，韩国芯片巨头宣布的项目在数年内可能都不会对供应产生实质性影响。

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2026-07-05 22:09

【下周资本市场大事提醒：国家统计局将公布6月CPI、PPI数据 SK海力士迎美股首秀】
1、7月9日，国家统计局将公布6月CPI、PPI数据。浙商证券预计6月CPI同比增长1.1%，较上月回落0.1个百分点，环比下降0.3%；PPI同比增长4.1%，较上月回升0.2个百分点，环比上涨0.1%。
2、中国6月金融数据或将下周公布。浙商证券预计，6月人民币贷款新增2.0万亿元，新增社融约2.89万亿元。
3、7月6日起，沪深交易所明确将主板ST、*ST股涨跌幅限制由5%调整至10%，与主板普通股票保持一致。目前主板风险警示股票价格涨跌幅限制比例为5%，主板普通股票为10%。
4、7月9日，美联储将公布6月FOMC会议纪要，这也是沃什首次主持的会议记录。6月点阵图中已有半数委员预计年内至少加息一次。
5、下周（7月6日至7月10日）共有32只限售股解禁，按最新收盘价计算，解禁总市值为1000.43亿元。解禁市值居前三位的是：屹唐股份（653.62亿元）、天承科技（126.62亿元）、TCL科技（55.73亿元）。
6、下周将有2只新股发行，其中北交所有1只，科创板有1只，合计发行约9154.19万股。7月6日发行的是龙鑫智能，7月10日发行的是泰诺麦博。
7、SK海力士7月10日正式在纳斯达克以ADR形式交易。在HBM市场中，SK海力士2026年第一季度的市场份额在全球排名第一。
8、SpaceX于7月7日正式纳入纳斯达克100指数。摩根大通估计，SpaceX被纳入纳斯达克100指数可能吸引43亿美元的被动资金流入。
9、智谱与MiniMax将于7月8日至9日相继迎来港股上市后首批限售股解禁，合计解禁市值或逾850亿港元。天数智芯港股首批基石限售股7月8日左右届满解禁。
10、MACHINA Summit将于7月7日在法国巴黎举办，是欧洲首届专属物理AI/具身智能峰会。7月全球机器人/ 人形机器人海外最高规格场。
11、第25届中国互联网大会7月8日至10日举办。今年大会大概率聚焦AI产业化落地、算力互联互通、数据要素市场化等核心议题。工信部此前发布《算力互联互通行动计划》目标2026年建立算力互联互通标准体系，城域「毫秒用算」专项行动同步推进。
12、2026 中国（南京）具身智能机器人产业展将于7月10-12日在南京举行。根据会议议程，届时将发布特斯拉、优必选、智元等披露量产节奏与零部件招标。
13、2026“机器人+”创新发展大会将于7月11-13日在山东济宁举办。本次大会将有重磅发布：《“机器人 +” 应用场景白皮书》。
14、金山云表示，AI算力相关产品服务上调约15%-50%，调整将于北京时间2026年7月12日00:00:00起生效。
15、下周迅销、百事公司、达美航空等发布财报，开启美股二季报序幕。
16、一年一度的艾伦公司太阳谷峰会预计7月7日至10日在美国爱达荷州太阳谷举行，OpenAI、苹果、Meta等CEO出席，黄仁勋、马斯克缺席。

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2026-07-05 11:35

【野村证券：当前全球存储行业的核心矛盾仍是供应严重短缺 AI驱动的结构性需求增长尚未见顶】财联社7月5日电，野村证券在最新发布的报告中认为，当前全球存储行业的核心矛盾仍是供应严重短缺，AI驱动的结构性需求增长尚未见顶。近期投资者对供应过剩的担忧情有可原，但明显过度，市场的过激反应或为存储板块提供了重新审视估值的窗口。野村证券在报告中直言，市场的担忧被严重夸大，半导体投资转化为实际产能的周期极其漫长，韩国高达4800万亿韩元的投资计划至少需要5到10年才能转化为实际产能，且高利润HBM（高带宽存储）对通用存储产能的挤压正导致市场面临严重的供应短缺。野村证券强调，Meta的决定绝不是AI相关硬件需求减少的拐点。相反，由于当前算力供应短缺导致单Token价格呈现上涨趋势，Meta算力的入市有望促使Token价格向下企稳。

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2026-07-05 08:44

【美光科技投资93亿美元扩建先进存储芯片项目预计2028下半年出货HBM】财联社7月5日电，美光科技当地时间周六（7月4日）正式启动其位于日本西部广岛工厂的扩建工程。这项总投资达1.5万亿日元（约合93亿美元）的项目，旨在生产包括高带宽存储器（HBM）在内的先进存储芯片，以满足人工智能（AI）浪潮带来的旺盛需求。HBM是英伟达AI处理器的关键组件，工厂预计将于2028年夏季左右开始出货。近期，美光、三星电子和SK海力士各自都宣布了扩充制造能力的计划。本周早些时候，SK海力士宣布，计划投资80万亿韩元（约合514.6亿美元），在韩国忠清北道首府清州市新建一座NAND存储芯片工厂。

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2026-07-03 14:33

【四会富仕：MSAP产线已经成高密度PCB的标配期待今年底投产】财联社7月3日电，据四会富仕消息，近日，泰国子公司一品电路有限公司二期工厂正式奠基。此次扩建引入了MSAP（改良型半加成法）生产线，瞄准AI赛道。AI服务器的正交背板、1.6T/3.2T高速光模块、HBM存储模组这些高端场景，对细线路、高密度布线有硬性要求。光模块领域，2026年MSAP相关市场规模预计120亿元到130亿元，未来随着NPO/CPO技术放量，年增速可能到150%。MSAP产线已经成了高密度PCB的标配，也是跟上行业发展的必要条件。随着AI服务器、高速光模块、先进封装等领域的持续放量，MSAP产线有望助力公司打开新的增长空间，期待今年底MSAP产线的投产。

四会富仕-6.43%

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2026-07-01 15:15

【三星HBM4E良率突破70% 第七代AI内存开发进入稳定阶段】财联社7月1日电，三星电子首席技术官兼半导体研究所所长于6月30日在DS（器件解决方案）部门内部经营说明会上表示，HBM4E的可靠性测试良率已提升至70%以上。业界通常将80%以上视为工艺稳定的"成熟良率"门槛，而HBM4E目前仍处于可靠性测试阶段，70%以上的水平被认为标志着开发进程正式进入稳定区间。与此同时，他在同一场合透露，下一代10纳米级第七代DRAM工艺（D1d）在技术竞争力上已取得对竞争对手的优势，并计划于今年11月完成生产准备认证（PRA）。

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