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HBM
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HBM是一种基于3D堆叠工艺的dram内存芯片,由多层dram堆叠
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2025-10-03 13:36 来自 科创板日报
站稳AI存储C位?HBM紧缺恐成定局 但这一技术正“虎视眈眈”
①美光强调,预计半导体芯片、特别是HBM的供不应求情况将会加剧。
②存储需求陡增背后,AI推理飞速崛起。黄仁勋在最新采访中,再次强调,AI推理将迎来十亿倍增长。
③“HBM供不应求加剧”的另一面,是供应瓶颈下可能出现的“替代”——“以存代算”。
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2025-09-24 16:48 来自 财联社 卞纯
HBM市场三强争霸:美光Q2市占率超越三星 SK海力士稳居第一
①根据行业追踪机构Counterpoint Research编制的数据,三星电子Q2占据了全球HBM芯片市场17%的份额,低于美光科技的21%;
②而SK海力士以62%的市场占有率稳居第一;
③Counterpoint 预计,三星电子明年在HBM市场的份额将超过30%。
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2025-09-24 13:12
【美光科技CEO:HBM芯片供不应求 将成明年存储板块核心增长动力】
财联社9月24日电,美东时间周二盘后,美光科技CEO Sanjay Mehrotra在财报电话会上指出,预计全球存储芯片(尤其 HBM)供需不平衡将加剧,因DRAM 库存低于目标,而NAND 库存持续下降;同时,明年HBM产能已基本锁定,需求增长显著,2026 年HBM出货量增速预计超整体DRAM,成存储板块核心增长动力。
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2025-09-24 12:14
【集邦咨询:Q4 DRAM价格延续涨势 服务器需求提前发酵、旧制程产品涨幅仍较大】
《科创板日报》24日讯,据TrendForce集邦咨询最新调查,由于三大DRAM原厂持续优先分配先进制程产能给高阶Server DRAM和HBM,排挤PC、Mobile和Consumer应用的产能,同时受各终端产品需求分化影响,第四季旧制程DRAM价格涨幅依旧可观,新世代产品涨势相对温和。预估整体一般型DRAM (Conventional DRAM)价格将季增8-13%,若加计HBM,涨幅将扩大至13-18%。
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2025-09-24 08:36
【盘前题材挖掘】
①HBM已成当下AI芯片主流选择,机构称HBM国产化势在必行。②机器人明星初创公司估值达百亿美元,“AI+机器人”赛道火爆。③全球黄金ETF持仓量激增,黄金中长期配置价值有望持续上升。
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2025-09-24 07:51 来自 财联社
HBM已成当下AI芯片主流选择 机构称HBM国产化势在必行
①SK海力士指出,HBM的引入不仅能显著提升AI的性能和质量,其增长速度甚至超越了传统内存性能,有效打破了内存墙瓶颈。
②民生证券认为,国产HBM量产势在必行,当前国产HBM或处于发展早期,上游设备材料或迎来扩产机遇。
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2025-09-23 14:08 来自 TheBell
【SK海力士启动1b DRAM试验生产线】
《科创板日报》23日讯,SK海力士已在其位于清州的M15X工厂启动了一条试验生产线,该生产线将生产1b DRAM,以满足日益增长的HBM需求。该公司计划在11月前将设备投入使用,并在第四季度举行工厂落成典礼,初始产量目标为每月1万片晶圆。 (TheBell)
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2025-09-22 13:22 来自 财联社 刘蕊
三星突破重大难关:HBM芯片终获英伟达认可 股价创一年新高
①三星电子股价因12层HBM3E芯片通过英伟达认证测试而大涨5%,创一年新高;
②三星成为英伟达HBM芯片第三家供应商,但SK海力士仍领先,已完成HBM4芯片开发;
③富国银行分析师预测,三星芯片进展可能对HBM市场定价产生负面影响。
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2025-09-20 09:21
【中原证券:国产算力芯片迎来高光时刻 超节点和集群层面双双赶超】
财联社9月20日电,中原证券研报表示,近期国内厂商一改在算力芯片领域低调的风格,阿里和华为算力进展及成果相继发布,集中对市场释放了积极的信号。对比年初DeepSeek-R1发布,中国不光在模型层对标海外厂商,在硬件层也通过集群计算方式补足了芯片上的差距,在超节点和集群层面的全球领先,而且还实现了HBM的自主和互联技术的重要突破。因此对中国AI和算力产业长期发展给予更加积极的预期,仍然继续看好近期行业市场表现,建议积极关注EDA企业华大九天,有大规模智算中心交付计划的润泽科技,在低空经济和商业航空领域积极开拓的中科星图。
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2025-09-15 16:02 来自 TheElec
【“HBM之父”:HBF可能成为人工智能未来的决定性因素】
《科创板日报》15日讯,被称作“HBM之父”的韩国科学技术院(KAIST)教授金正浩指出,HBF(高带宽闪存)可能成为人工智能未来的决定性因素。HBF是一种类似HBM的专为AI领域设计的新型存储器架构,区别在于HBF使用NAND闪存代替DRAM。金正浩强调,当前的人工智能瓶颈在于内存带宽和容量,速度较慢但容量更高的NAND闪存可以作为补充。 (TheElec)
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2025-09-15 15:13
财联社9月15日电,马斯克表示,位于美国德州的三星工厂将生产AI6,而非AI5,至于是否使用高带宽内存(HBM)尚未做出决定。
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2025-09-12 16:03 来自 ZDNet
【三星拟扩大1c DRAM产能】
《科创板日报》12日讯,三星电子计划在明年上半年完成其平泽四号园区(P4)1c DRAM的设备投资,力争在HBM4领域取得先机。公司另准备在其华城17号线进行1c DRAM的转换投资。报告指出,三星今年的1c DRAM产能可能上升至每月6万片晶圆左右。 (ZDNet)
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2025-09-12 08:34
【SK海力士完成HBM4开发并准备量产】
财联社9月12日电,韩国芯片制造商SK海力士表示,该公司已完成全球首款HBM4的开发工作,已为量产做好准备。该公司股价一度涨逾5%。
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2025-09-11 17:34 来自 日经新闻
【铠侠计划于2027年推出与英伟达合作开发的AI SSD】
《科创板日报》11日讯,日本铠侠计划到2027年实现AI SSD的商业化,其数据读取速度将比传统产品快近100倍。该SSD将与英伟达合作开发并用于处理生成式AI计算的服务器,旨在部分取代作为GPU内存扩展器的HBM。 (日经新闻)
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2025-09-11 14:30 来自 Sedaily
【SK海力士与Naver Cloud合作测试CXL和PIM】
《科创板日报》11日讯,为超越HBM,SK海力士已与Naver Cloud合作,启动概念验证测试,以推动下一代AI内存解决方案的商业化。SK海力士表示,已与Naver Cloud签署了一份谅解备忘录,合作重点是在Naver Cloud的实际数据中心测试CXL和PIM。 (Sedaily)
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2025-09-08 12:39
【机构:先进逻辑和DRAM应用推动 Q2全球半导体设备销售额环比增长3%】
《科创板日报》8日讯,SEMI报告显示,2025年第二季度全球半导体设备销售额同比增长24%,达330.7亿美元。受前沿逻辑、先进高带宽存储器 (HBM) 相关DRAM 应用以及亚洲出货量增长的推动,2025年第二季度销售额环比增长3%。全球半导体设备市场在2024年创下1170亿美元的纪录后,2025年上半年表现强劲,收入超过650亿美元。
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2025-08-21 14:46 来自 SEDaily
【消息称三星HBM4样品已通过英伟达测试 本月预生产】
《科创板日报》21日讯,三星上月提供给英伟达的HBM4样品已通过初期测试和质量测试,将在本月底进入“预生产”阶段。HBM4芯片将被应用在英伟达的下一代AI加速器“Rubin”中。如果三星能顺利通过预生产阶段,他们的HBM4芯片在11月就能开始量产,从而迅速缩小与SK海力士之间的差距。 (SEDaily)
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2025-08-18 16:42 来自 闪存市场
【2025年二季度全球DRAM市场规模环比增长20%至321.01亿美元】
《科创板日报》18日讯,AI驱动以HBM3E和高容量DDR5为代表的高价值DRAM需求持续增长,以及二季度存储原厂EOL通知刺激传统DDR4/LPDDR4X价格与需求快速攀升的双重驱动下,2025年二季度全球DRAM市场规模环比增长20%至321.01亿美元,创历史季度新高。SK海力士继续刷新自己在DRAM市场的优势,在2025年二季度以38.2%的市场份额再度蝉联第一,并扩大了与三星的差距。 (闪存市场)
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2025-08-18 13:42 来自 台湾工商时报
【消息称英伟达计划自研HBM Base Die】
《科创板日报》18日讯,英伟达已启动自家HBM Base Die(逻辑层 / 底层芯片)设计计划,未来无论选择任一品牌HBM堆叠产品,Base Die都将采用英伟达自有设计方案,制程节点3nm,预估将于2027年下半年开始小量试产。 (台湾工商时报)
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2025-08-18 13:30
【机构:二季度DRAM市场规模创历史季度新高】
《科创板日报》18日讯,据闪存市场最新统计,在AI驱动以HBM3E和高容量DDR5为代表的高价值DRAM需求持续增长,以及二季度存储原厂EOL(产品生命周期终止)通知刺激传统DDR4/LPDDR4X价格与需求快速攀升的双重驱动下,2025年二季度全球DRAM市场规模环比增长20%至321.01亿美元,创历史季度新高。其中,SK海力士继续刷新自己在DRAM市场的优势,二季度以38.2%的市场份额蝉联第一,并扩大了与三星的差距。
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