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HBM
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HBM是一种基于3D堆叠工艺的dram内存芯片，由多层dram堆叠
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2025-02-27 13:42
【机构：Server DRAM与HBM持续支撑 2024年第四季全球DRAM产业营收季增9.9%】财联社2月27日电，根据TrendForce集邦咨询最新调查，2024年第四季全球DRAM产业营收突破280亿美元，较前一季成长9.9%；由于Server DDR5的合约价上涨，加上HBM集中出货，前三大业者营收皆持续季增。平均销售单价方面，多数应用产品的合约价皆反转下跌，只有美系CSP增加采购大容量Server DDR5，成为支撑Server DRAM（服务器内存）价格续涨的主因。展望2025年第一季，随着进入生产淡季，整体原厂出货位元量将季减。价格部分，因PC OEM、手机业者持续去化库存，DRAM供应商将DDR4及部分HBM产能回流至Server DDR5，CSP采购动能放缓，预估第一季一般型DRAM合约价及一般型DRAM及HBM合并的整体合约价皆下跌。
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2025-02-27 09:01 来自 ETNews
《科创板日报》27日讯，消息称SK海力士的第6代12层堆叠高带宽内存HBM4测试良率已达70%。 (ETNews)
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2025-02-19 13:37 来自 首尔经济日报
【三星计划2028年推出“移动HBM”】《科创板日报》19日讯，三星电子半导体暨装置解决方案（DS）部门首席技术官宋在赫表示，搭载LPW DRAM内存的首款移动产品将在2028年上市。LPW DRAM通过堆叠LPDDR DRAM，大幅增加I/O接口，可减少耗电量并提高性能，采用垂直引线键合的新封装技术，被誉为“移动HBM”。其带宽可达200GB/s以上，较现有的LPDDR5x提升166%。 (首尔经济日报)
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2025-02-18 14:34
【机构：预计2027年底DRAM将迈入个位数纳米技术节点】财联社2月18日电，TechInsights平台上发布报告称，2025年第一季度，市场上将首次推出D1c的一小部分产品，首先由SK海力士推出。D1c世代将在2026年和2027年占据主导地位，包括HBM4 DRAM应用。从市场角度看，HBM产品，尤其是HBM3和HBM3E，性能卓越但目前价格高昂，而传统产品如LPDDR5和DDR5器件则价格较低且性能相对较弱。未来AI和数据中心将需要更高的单个裸晶的内存容量，例如32 Gb、48 Gb或64 Gb芯片，但目前市场上主流仍是16 Gb裸晶。在更高密度的DRAM芯片中，应开发3D DRAM架构，如4F2垂直沟道晶体管 (VCT) 单元、IGZO DRAM单元或3D堆叠DRAM单元，并在10纳米以下级别节点（个位数节点）实现产品化，尤其是三星、SK海力士和美光等主要厂商，作为下一代DRAM缩放的候选方案。D1a和D1b是市场上的主流产品。到2027年底，我们预计DRAM将迈入个位数纳米技术节点，如D0a，随后将是0b和0c世代。
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2025-01-31 07:33 来自 彭博
财联社1月31日电，英伟达据悉批准了三星的8层HBM3E人工智能存储芯片。 (彭博)
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2025-01-23 11:23 来自 财联社 刘蕊
HBM芯片需求火热！SK海力士史诗级财报：季度营利暴增超20倍 一举超越三星
①韩国SK海力士公布财报，四季度营业利润8.1万亿韩元，创历史新高；
②HBM芯片销售强劲，占公司DRAM总收入40%，预计2025年HBM销售额增长100%以上；
③SK海力士计划增加HBM3E供应，适时开发HBM4，推进DDR5和LPDDR5生产工艺转换。
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2025-01-23 08:43
财联社1月23日电，海力士与台积电就16层HBM4进行密切合作，预计2026年下半年出货。
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2025-01-23 08:21
财联社1月23日电，SK海力士预计HBM销售额2025年将增长100%以上。
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2025-01-23 07:38
【SK海力士计划今年增加HBM3E供应量 并适时开发出HBM4】财联社1月23日电，SK海力士发布截至2024年12月31日的2024财年及第四季度财务报告。SK海力士在财报中表示，公司计划今年增加HBM3E的供应量，并适时开发出HBM4，根据客户的要求进行供应。并且在需求稳定持续的情况下，将为了具有竞争力的DDR5和LPDDR5生产，推进所需的先进工艺转换。NAND闪存方面，继去年之后也将以盈利为主的运营和满足需求情况的灵活销售战略应对市场。
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2025-01-21 12:24 来自 MoneyToday
【消息称三星电子已将1c nm内存开发良率里程碑推迟半年 恐影响HBM4】《科创板日报》21日讯，三星电子已将其1c nm DRAM内存开发的良率里程碑时间从2024年底推迟至2025年6月，而这一变化可能会影响到三星对HBM4内存的规划。三星电子原计划在去年12月将1c nm制程DRAM的良率提升至70%，达到结束开发工作、进入量产阶段所需的水平。但在实际情况中，三星虽于去年底成功制得1c nm DRAM的良品晶粒，整体良率却无法满足要求。 (MoneyToday)
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2025-01-16 11:32 来自 ZDNet
《科创板日报》16日讯，SK海力士计划最早于2025年6月向英伟达交付HBM4样品，预计将于第三季度末开始全面供应产品。 (ZDNet)
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2025-01-14 09:09 来自 台湾工商时报
【DRAM产业供需预计2025年第二季度恢复平衡】《科创板日报》14日讯，业内人士指出，三大厂将产能移往高频宽记忆体(HBM)，DRAM产业供需预计于2025年第二季度恢复平衡，2025年下半年小幅供不应求，报价有望趋于稳定。 (台湾工商时报)
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2025-01-09 11:49
【韩国SK集团会长崔泰源：SK海力士与英伟达正在加快研发HBM 已敲定今年供应量】财联社1月9日电，韩国SK集团会长崔泰源8日在2025年国际消费类电子产品展览会（CES 2025）上举行记者座谈会时表示，人工智能（AI）在所有领域引领变化，不再是可选项。做AI市场的领头羊还是跟随者，将决定未来的发展。目前，AI产业先要具备基础设施和人力资源等基本条件。我们要把握主动开创未来，不能依赖他国。崔泰源还介绍展会期间与英伟达首席执行官（CEO）黄仁勋会面一事，称双方就高带宽存储器（HBM）和“物理AI”等话题交换了意见。SK海力士正向英伟达独家供应HBM，去年3月率先供应第五代8层HBM3E产品，同年10月全球首次量产12层堆叠的HBM3E內存。崔泰源说，其间SK海力士HBM研发速度略慢于英伟达，对方（英伟达）要求SK海力士提速，而近期（SK海力士的）研发速度开始赶超，两家公司正在加快研发HBM。双方已通过工作层会议敲定了今年的供应量。
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2025-01-03 14:04 来自 Chosun Biz
【消息称三星电子已启动4nm制程HBM4逻辑芯片试生产】《科创板日报》3日讯，三星电子DS部门内存业务部最近完成了HBM4内存逻辑芯片设计，Foundry业务部现已根据该设计采用4nm制程启动试生产。待完成逻辑芯片的最终性能验证后，三星电子将向客户提供其开发的HBM4内存样品。 (Chosun Biz)
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2025-01-03 12:03
【SK海力士宣布将于CES展示16层HBM3E】《科创板日报》3日讯，SK海力士宣布将参加CES 2025，并将展出16层堆叠HBM3E样品。SK海力士CEO郭鲁正表示，SK海力士将于今年下半年开始量产第六代HBM(HBM4)。
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2024-12-30 12:40
【TrendForce：预计2025年Q1 DRAM均价下跌】《科创板日报》30日讯，根据TrendForce集邦咨询最新调查，2025年第一季进入淡季循环，DRAM市场因智能手机等消费性产品需求持续萎缩，加上笔记本电脑等产品因担心美国可能拉高进口关税的疑虑，已提前备货，进而造成DRAM均价下跌。其中，一般型DRAM的跌幅预估将扩大至8%至13%，若计入HBM产品，价格预计下跌0%至5%。
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2024-12-25 13:49
【机构：预计2025年HBM出货量将同比增长70%】《科创板日报》25日讯，据TechInsights报告指出，随着AI的兴起，特别是在机器学习和深度学习等数据密集型应用中，对高带宽内存（HBM）的需求空前高涨。预计2025年HBM出货量将同比增长70%，因为数据中心和AI处理器越来越多地依赖这种类型的存储器来处理低延迟的大量数据。HBM需求的激增预计将重塑DRAM市场，制造商将优先生产HBM，而不是传统的DRAM产品。
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2024-12-23 14:35 来自 台湾工商时报
《科创板日报》23日讯，美光指出，下一季高频宽记忆体(HBM)销售额将季增一倍以上，并预估2025年全球HBM产值或超过300亿美元。 (台湾工商时报)
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2024-12-23 10:47 来自 Wccftech
【美光：下一代HBM4内存计划2026年大规模生产 后续推出HBM4E】《科创板日报》23日讯，美光发布了其HBM4和HBM4E项目的最新进展。具体来看，下一代HBM4内存采用2048位接口，计划在2026年开始大规模生产，而HBM4E将会在后续几年推出。 (Wccftech)
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2024-12-20 14:59 来自 TheElec
《科创板日报》20日讯，SK海力士已赢得向博通供应高带宽内存(HBM)的大订单，预计明年下半年开始供应。 (TheElec)
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