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HBM是一种基于3D堆叠工艺的dram内存芯片，由多层dram堆叠
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2026-06-13 18:57 来自 科创板日报 宋子乔
HBM4E样品交付战打响 SK海力士或提前至6月 三星已抢先一步
①这一时点比原计划更早；
②三星电子已开始向主要全球客户交付业内首批12层48GB HBM4E样品；
③业内人士预计，今年下半年，三星与SK海力士之间的供应竞争将进一步加剧；
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2026-06-12 19:04
【我国成功研制出三维多层片上电容 可直接应用于AI/GPU芯片、高性能处理器等高端芯片】财联社6月12日电，据湖北江城实验室消息，该实验室近期在电容关键技术上取得重大突破，成功研制出三维多层片上电容，电容密度突破每平方毫米1000纳法。该电容可直接应用于AI/GPU芯片、高性能处理器等高端芯片，支撑高算力、低功耗芯片研发。目前，相关技术正在开展工艺流片及小批量试产，将在先进封装领域实现规模化应用。电容在电路中的作用，本质上是一个超微缩的“蓄水池”：当芯片电流剧烈波动时，能迅速充放电以平抑电压，确保芯片吃上“纯净且稳定”的电流。电容在算力系统中也被比喻为“电RAM”：HBM是算力的数据缓冲，电容则是算力的能量缓冲。要在GPU瞬时拉满功率时供得上电，必须依靠从纳秒到秒级的多级电力缓存逐级接力。
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2026-06-10 13:57
【三星考虑新建先进芯片封装厂 以满足全球芯片需求】财联社6月10日电，三星电子考虑在韩国光州建设先进半导体封装工厂，以满足全球芯片需求。三星正扩大HBM市场布局，以加强其在AI芯片供应链中的地位。预计三星将在6月29日韩国总统与企业集团负责人会议上公布投资计划。
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2026-06-09 20:17
【半导体库存回升 机构：销售增长远远快于库存增长 整个AI产业链仍处于快速扩张阶段】财联社6月9日电，今年一季度，全球半导体企业库存重新出现上升迹象。德意志银行在最新发布的行业报告指出，半导体行业这轮库存增长更可能反映企业正在为未来需求扩张提前备货，而非需求转弱。今年一季度行业库存周转天数环比增长约4%，而从历史上来看，一季度的季节性增长通常在5%至7%之间。换句话说，尽管库存有所增加，但需求对新增供给的消化速度依然快于正常年份。报告显示，2026年一季度，半导体销售同比增长54%，库存同比增长23%。这是半导体销售增速连续第十个季度超过库存增速。展望未来几个季度，德银分析师持乐观态度。从需求结构看，半导体行业当前同时受到两股力量支撑。首先，AI相关需求依然是行业最重要的增长引擎。从AI服务器、GPU、HBM高带宽存储到先进封装，整个AI产业链仍处于快速扩张阶段。其次，此前相对低迷的工业、汽车等领域开始改善，使半导体需求不再只依赖AI单一主线。随着传统终端需求恢复，行业复苏的覆盖面正在扩大。
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2026-06-09 12:29
【SK海力士为P&T6工厂引进额外设备 应对HBM4封装、测试需求】《科创板日报》9日讯，SK海力士正在为清州P&T6封装测试工厂引进额外设备，以应对第六代高带宽内存（HBM4）封装与测试需求。该工厂预计明年第一季度开始量产，将与清州DRAM晶圆厂M15X协同运营。
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2026-06-08 17:52
【三星：与英伟达CEO黄仁勋讨论了HBM4、代工方面的短期合作】财联社6月8日电，三星电子芯片部门负责人JUN表示，与英伟达CEO黄仁勋就HBM4、晶圆厂领域的短期合作事宜进行了讨论。JUN表示，我们正在合作研发4纳米和8纳米节点所需的自动驾驶芯片，以及NVIDIA的加速器芯片；我们还就长期合作进行了广泛讨论，包括HBM4E、代工业务、HBM5以及其他未来技术。双方还讨论了下一代芯片的代工合作。
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2026-06-08 07:02
【英伟达与SK海力士宣布多年期技术合作 共同开发下一代AI内存】财联社6月8日电，英伟达与SK海力士宣布建立多年期技术合作伙伴关系，围绕全球AI工厂建设所需的下一代内存展开联合研发，并将AI技术应用于半导体芯片设计与制造。根据协议，SK海力士将为英伟达Vera Rubin AI超级计算机、Vera CPU、RTX Spark PC及Jetson Thor机器人计算平台协同开发专用内存，由此进入英伟达正在开拓的AI基础设施、个人AI及物理AI等新市场。在半导体制造领域，SK海力士将采用英伟达CUDA-X库及PhysicsNeMo框架加速芯片仿真和光刻计算工作流；同时借助英伟达Omniverse和cuOpt构建晶圆厂数字孪生，推动工厂自主化运营。
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2026-06-05 12:49
【英伟达CEO黄仁勋称三大存储芯片生产商均有资格供应HBM4芯片】财联社6月5日电，英伟达首席执行官黄仁勋表示，三大存储芯片制造商已通过认证，可为英伟达AI加速器供应最先进的高带宽存储芯片。这一决定意味着，SK海力士、三星电子和美光科技即将开始大规模生产和供应HBM4芯片。这三家公司主导着全球存储芯片市场，并一直在激烈争夺这一业务的份额。黄仁勋在抵达首尔展开为期数天的访问时对记者表示，这三家供应商都已通过认证，并且都已投产，竞相支持英伟达最新的AI芯片Vera Rubin。
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2026-06-04 07:36
【SK集团和台积电董事长同意深化在HBM和先进封装领域的合作】财联社6月4日电，SK海力士在网站表示，SK集团董事长Chey Tae-won周三会见了台积电董事长魏哲家，双方就下一代人工智能技术的最新发展趋势交换了意见。双方同意在下一代HBM研发和先进封装等领域进一步拓展合作。未来两家公司计划加快相关工作，强化在定制化AI内存市场的竞争力，以满足全球大型科技公司客户日益多样化、不断增长的需求。通过与台积电的合作，SK海力士将寻求在合适的时间向市场提供高性能产品。
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2026-06-02 18:08 来自 财联社 刘蕊
机构： 预估HBM需求将持续增长 明年合约价将上涨数倍
①TrendForce预测，由于DRAM供应紧张，2027年全球HBM合约价格将大幅上涨数倍。
②2026年和2027年，AI ASIC将推动HBM需求增长，HBM容量预计将显著增加。
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2026-06-02 17:35
【三星电子HBM5细节曝光 或采用铜基HPB散热技术 预计2028年实现量产】财联社6月2日电，三星电子计划使用其自主研发的2nm工艺制造的芯片生产HBM5，预计将在2028年左右实现量产。而HPB将是大规模应用于其中的核心热管理技术，具体而言，HPB是一种集成在芯片封装内的金属导热结构，通常由铜基材料制成，其导热性能比基板、DAF或EMC等聚合物基材料高出约500至1000倍。
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2026-06-02 17:34 来自 科创板日报 张真
三星电子HBM5细节曝光 或采用铜基HPB散热技术 预计2028年实现量产
①三星电子计划使用其自主研发的2nm工艺制造的芯片生产HBM5；
②宋载赫声称，HPB技术已在HBM4E芯片中得到应用和验证，其可靠性和稳定性均已得到充分验证；
③此前三星电子已在Exynos 2600芯片中引入HPB技术，可使该处理器的散热性能相比上代提升30%。
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2026-06-02 15:43
【SK集团会长崔泰源会见英伟达CEO黄仁勋】财联社6月2日电，韩国SK集团会长崔泰源1日在台北会见英伟达首席执行官（CEO）黄仁勋，两人就人工智能（AI）存储芯片合作进行交流。黄仁勋在答韩媒问时表示，高带宽内存（HBM）供应链最关键的要素为性能、品质、可靠性和供应能力，因此英伟达正与SK紧密合作。
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2026-06-02 14:18
【机构：DRAM持续供不应求 预估2027年HBM合约价将倍数上涨】《科创板日报》2日讯，根据TrendForce集邦咨询最新研究指出，自2H25以来，一般型DRAM(Conventional DRAM)价格大涨，反映供不应求形势之际，三大原厂的HBM年度议价机制，导致HBM合约价无法及时反映市场的季度涨价趋势。随着时序进入2Q26，买卖双方正在对2027年的主流产品HBM4供应进行谈判。TrendForce集邦咨询认为，基于DRAM供不应求市况、新旧世代HBM的高制造难度及高成本，三大原厂将于2027年大幅调高HBM的报价。
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2026-06-02 11:56
财联社6月2日电，报道称三星电子在台北国际电脑展上首次展示第八代高带宽存储芯片HBM5。
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2026-06-02 06:22 来自 上证报
【端侧AI驱动下一轮增长 国产存储芯片迎新机遇】财联社6月2日电，近日，首届集微存储论坛在上海张江举行。与会嘉宾认为，2025年至2027年供需比整体处于供不应求状态，存储芯片涨价趋势有望持续，2027年或成为观察价格趋势的转折之年。但需提及的是，2026年第二季度的存储价格涨幅环比有所收窄，短期可能面临盘整。值得注意的是，AI算力增长由云端训练加速转向端侧推理，为具有低功耗、快速响应优势的利基型存储（包括小容量DDR3/DDR4、NOR Flash、SLC NAND、EEPROM等）带来新机遇。叠加三星、SK海力士等国际巨头纷纷将产能转向高毛利的HBM（高带宽存储）等产品，相关国产芯片公司有望迎来新增长。 (上证报)
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2026-06-01 17:03
【机构：合约价快速上涨 第一季度DRAM产业营收季增81%】财联社6月1日电，根据TrendForce集邦咨询最新存储器产业调查，2026年第一季因一般型DRAM(Conventional DRAM)合约价加速上涨，季增幅度高达93-98%，激励产业整体营收季成长81%，达970亿美元。随着AI应用由大型语言模型(LLM)训练逐步转至AI推理，云端服务供应商(CSP)数据中心建设重点也从AI Server延伸至通用型Server，带动存储器采购需求由HBM3e、LPDDR5X及高容量RDIMM，扩大至各容量规格的RDIMM产品。
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2026-06-01 15:21
【华尔街顶尖基金经理：内存芯片供应短缺下 SK海力士将继续受益】财联社6月1日电，美国骏利亨德森投资旗下“全球科技领袖基金”，计划买入SK海力士公司（SK Hynix Inc.）的股票。该基金押注全球内存芯片供应的进一步收紧，将让这家全球内存芯片制造龙头企业在过去一年暴涨1000%的基础上继续受益。该基金的联席基金经理Richard Clode表示，SK海力士在高带宽内存（HBM）芯片全球市场上的主导地位，意味着它在明年可能会出现“更具爆发力的业绩增长”。届时，此前签署的多年度供应合同，可能会在更高的价格水平上重新定价。他还表示，相比于三星，他更倾向于纯粹的内存芯片公司，例如海力士和美光，因为三星的消费电子业务正受到成本上升的挤压，从而削弱了其整体盈利能力。
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2026-06-01 14:15
【高盛：存储市场供应短缺情况将持续至2028年】财联社6月1日电，高盛5月31日发布研究观点预计，到2027年，传统DRAM、NAND和HBM的供需状况都将较2026年更为紧张，且这种紧张态势将持续至2028年，这将有助于存储器企业在未来数年内实现更高的盈利水平。该机构认为市场尚未充分认识到当前存储器行业上行周期的持久性，大多数存储器股票的市盈率仍低至中个位数水平便是明证。高盛在研究报告中重点指出三点。其一，需求前景更为明朗，服务器和人工智能设备配置比例显著提升且代理型AI应用持续扩展；其二，因产能扩张步伐放缓且HBM交易占比更高，供应增长受限；其三，客户通过长期协议作出更明确承诺，并实施更高效的资本支出规划。以上因素将推动需求持续超越供给，从而形成更长的上升周期。机构甚至预期，即便到2028年，DRAM/NAND/HBM市场仍将面临供应短缺。

基于对行业供需趋紧的判断，高盛上调了对存储芯片制造商DRAM、NAND及HBM产品的定价预期。预计三星电子的传统DRAM平均销售价格在2026财年和2027财年将分别同比增长326%和27%，NANDASP则分别增长283%和33%；同时坚持看涨观点：HBMASP相较于传统DRAM实现“追赶"效应，有望推动其在2027财年实现约50%的同比增幅，并分别带动2026财年、2027财年及2028财年的HBM市场总规模达到560亿美元、1160亿美元和1680亿美元。
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2026-06-01 12:17
【英伟达Vera Rubin已全面投入生产】财联社6月1日电，英伟达CEO黄仁勋在台北的GTC演讲中宣布，英伟达新一代平台Vera Rubin已经全面投入生产，Vera Rubin采用美光、SK海力士和三星的HBM（高带宽内存），提供机柜级（POD）一体化AI工厂底座。英伟达为Rubin搭建的供应链是上一代Blackwell的“两倍大”，以往需要花两个小时组装一个巨大的Blackwell机架，现在（Vera Rubin）只需要5分钟。
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