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耐火材料
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凡物理化学性质允许其在高温环境下使用的材料称为耐火材料。耐火材料广泛用于冶金、化工、石油、机械制造、硅酸盐、动力等工业领域,在冶金工业中用量最大,占总产量的50%~60%。
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2026-01-14 08:32
【Wolfspeed制造出单晶300mm碳化硅晶圆】
财联社1月14日电,Wolfspeed, Inc.当地时间1月13日宣布制造出单晶300mm(12英寸)碳化硅晶圆。该公司的300mm平台将统一用于功率电子器件的高批量碳化硅制造与用于光学和射频系统的高纯度半绝缘衬底的先进能力。
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2026-01-07 15:10
【商务部决定对原产于日本的进口二氯二氢硅发起反倾销立案调查 产品主要用于生产逻辑芯片、存储芯片等】
财联社1月7日电,商务部7日发布公告称,对原产于日本的进口二氯二氢硅进行反倾销立案调查,本次调查确定的倾销调查期为2024年7月1日至2025年6月30日,产业损害调查期为2022年1月1日至2025年6月30日。本次调查自2026年1月7日起开始,通常应在2027年1月7日前结束调查,特殊情况下可延长6个月。
被调查产品名称:二氯二氢硅,又称二氯硅烷、二氯甲硅烷等。主要用途:二氯二氢硅主要用于芯片制造过程中的薄膜沉积(如外延膜、碳化硅膜、氮化硅膜、氧化硅膜和多晶硅膜等),用于生产逻辑芯片、存储芯片、模拟芯片和其他类芯片,也可用于合成硅基系列前驱体和聚硅氮烷等。
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2025-12-24 11:25
【晶盛机电12英寸单片式碳化硅外延生长设备顺利交付】
财联社12月24日电,晶盛机电近日在碳化硅(SiC)核心装备领域取得重大突破,12英寸单片式碳化硅外延生长设备顺利交付全球头部SiC外延晶片生产商瀚天天成。此次研发的12英寸单片式SiC外延设备可兼容8、12英寸SiC外延生产,其独创的垂直分流进气方案,实现了晶圆表面温度高精度闭环控制、工艺气体精确分区控制等技术,同时设备配备了自动化上/下料模块及一键自动PM辅助功能,大幅提升颗粒控制能力和维护效率。
晶盛机电
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2025-12-11 08:12
【丰田将在其车载充电系统采用Wolfspeed碳化硅器件】
财联社12月11日电,Wolfspeed公司当地时间12月9日宣布与丰田公司达成合作,丰田公司将在其车载充电系统采用Wolfspeed车规级MOSFET,Wolfspeed碳化硅器件将被集成到丰田公司的纯电动汽车中。
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2025-12-01 20:48
【立昂微:今年以来硅片出货量持续创新高】
财联社12月1日电,立昂微董事长王敏文在今天召开的2025年第三季度业绩说明会上表示,受益于下游需求回暖,今年以来硅片呈现量价齐升的态势,公司的硅片出货量持续创出新高。目前公司12英寸轻掺抛光片产能稼动率超过70%,12英寸重掺外延片产能稼动率接近80%;子公司立昂东芯6英寸碳化硅基氮化镓产品正在客户验证过程中,预计今年Q4将取得订单。2026年公司主要经营计划是加强市场营销,进一步拓展市场份额。(财联社记者 汪斌)
立昂微
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2025-11-17 17:52
【半导体龙头烁科晶体增资 国家军民融合产业投资基金、建信投资等斥资8亿入股】
财联社11月17日电,财联社记者11月17日自北京产权交易所获悉,山西烁科晶体有限公司增资项目成交,增资方为国家军民融合产业投资基金二期有限责任公司、国调二期协同发展基金股份有限公司、建信金融资产投资有限公司,投资金额分别为5亿元、2亿元和1亿元。烁科晶体成立于2018年10月,是国内从事第三代半导体材料碳化硅生产和研发的领军企业。(记者 赵毅波)
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2025-09-26 11:21
【晶盛机电:首条12英寸碳化硅衬底加工中试线正式通线】
财联社9月26日电,据晶盛机电官微消息,9月26日,首条12英寸碳化硅衬底加工中试线在晶盛机电子公司浙江晶瑞SuperSiC正式通线,至此,浙江晶瑞SuperSiC实现了从晶体生长、加工到检测环节的全线设备自主研发,100%国产化。
晶盛机电
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2025-09-12 13:01
【赛晶科技:赛晶半导体与三安半导体签订战略合作框架协议】
财联社9月12日电,赛晶科技在港交所公告,9月12日,公司旗下子公司赛晶亚太半导体科技(浙江)有限公司(简称“赛晶半导体”)与湖南三安半导体有限责任公司(简称“三安半导体”)签订战略合作框架协议,正式建立全面战略合作伙伴关系。赛晶半导体主要从事研发及制造功率半导体器件。三安半导体是三安光电(600703)的全资子公司,拥有碳化硅全产业链垂直整合制造服务平台。目前,三安半导体的8英寸碳化硅芯片产线已通线。三安半导体将根据赛晶半导体的需求,确保稳定及时地向赛晶半导体供应产品;赛晶半导体在三安半导体的生产计划中享有优先供应权。双方将共同评估市场增长潜力,制订产能扩展计划。
三安光电
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2025-09-11 15:08 来自 证券时报
【Wolfspeed宣布200mm碳化硅材料产品组合开启大规模商用】
财联社9月11日电,全球碳化硅厂商Wolfspeed公司宣布,公司200mm碳化硅材料产品开启大规模商用。此前,公司在初步向部分客户提供200mm碳化硅产品之后,市场反响积极且效益显著。 (证券时报)
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2025-08-22 12:33
财联社8月22日电,东芝与SICC将探索碳化硅(SiC)功率芯片合作。
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2025-05-29 11:47
【全国最大碳化硅晶圆厂在武汉投产】
财联社5月29日电,据“湖北发布”,长飞先进武汉基地首批碳化硅晶圆日前正式投产,这是目前国内规模最大的碳化硅半导体基地,可贡献国产碳化硅晶圆产能的30%,有望破解我国新能源产业缺芯困局。碳化硅是新一代信息技术的基础材料,被称为新能源时代的“技术心脏”,是全球争相抢占的科技制高点。这座总投资超200亿元的半导体超级工厂,一期项目聚焦第三代半导体功率器件研发与生产,可年产36万片6英寸碳化硅晶圆,产能跻身全球前列,达产后可满足144万辆新能源汽车的制造需求,推动我国第三代半导体实现从“跟跑”到“并跑”的关键跨越。
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2025-03-19 08:10
【华泰证券:比亚迪闪充技术或推动高压超充趋势】
财联社3月19日电,华泰证券指出,3月17日,比亚迪发布“超级e平台”,成为全球首个量产的乘用车1000V高压平台,公司同时发布兆瓦闪充技术,闪充电池内阻降低50%,充电电流最大达1000A,充电倍率最高达10C,实现一秒充电续航2公里。我们推测该技术的实现,需要电池、车、桩三位一体的技术配套升级,带来碳包覆材料、薄涂布设备、碳化硅、高压保护元器件、液冷超充桩等环节增量需求。比亚迪此次新技术发布,不仅提升其自身竞争力,还将形成示范效应,助推高压超充产业趋势再进一步。
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2025-03-15 06:57 来自 证券日报
【应用场景不断扩充 国产碳化硅大规模“上车”可期】
财联社3月15日电,随着碳化硅产业逐步迈入8英寸时代,企业竞争也将愈发白热化。多位专家在日前举行的2025功率半导体制造及供应链高峰论坛上表示,对于已经进入汽车等高端市场的产业链玩家而言,过硬的产品质量和稳定的供应能力才是长期立足发展之本。受益于成本下降,国产碳化硅加速“上车”,一方面促进其在新能源汽车等行业的应用。但另一方面,价格的下降也让这个行业的竞争加剧。碳化硅是目前半导体行业中最景气的赛道之一。市场研究机构Yole数据显示,碳化硅市场规模在2023年达到27.46亿美元,预计到2029年将达到98.73亿美元,年复合增长率约为24%。 (证券日报)
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2025-02-27 16:05
【安意法半导体碳化硅晶圆厂今日正式通线】
《科创板日报》27日讯,今日,三安光电与意法半导体在重庆合资设立的安意法半导体碳化硅晶圆厂正式通线。据介绍,预计该项目将在2025年四季度实现批量生产,项目规划全面达产后将年产约48万片的8英寸碳化硅晶圆。在重庆高新区西永微电子产业园内,三安光电还同期配套一条年产48万片的8英寸碳化硅衬底生产线,用于安意法碳化硅晶圆厂生产供应,已于2024年9月通线投产。以上两大项目合计投资达300亿元。三安光电总经理、安意法董事长林科闯在通线仪式上表示,安意法半导体碳化硅晶圆厂用时仅16个月就正式通线,是双方携手并进、强强联合的共同成果,安意法未来和发展非常值得期待。(记者 郭辉)
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2025-02-02 22:08 来自 新华社
【我国在太空成功验证第三代半导体材料制造的功率器件】
财联社2月2日电,以碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料是我国制造业转型升级的驱动因素和重要保证。记者从中国科学院微电子研究所获悉,我国在太空成功验证了首款国产碳化硅(SiC)功率器件,第三代半导体材料有望牵引我国航天电源升级换代。据中国科学院微电子研究所刘新宇研究员介绍,功率器件是实现电能变换和控制的核心,被誉为“电力电子系统的心脏”,是最为基础、应用最为广泛的器件之一。随着硅基功率器件的性能逼近极限,以碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料,以其独特优势可满足空间电源系统高能效、小型化、轻量化需求,对新一代航天技术发展具有重要战略意义。
业内专家认为,我国在太空成功验证第三代半导体材料制造的功率器件,标志着在以“克”为计量的空间载荷需求下,碳化硅(SiC)功率器件有望牵引空间电源系统的升级换代,为未来我国在探月工程、载人登月、深空探测等领域提供新一代功率器件。 (新华社)
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2025-01-22 09:17
【中国首款高压抗辐射碳化硅功率器件研制成功】
《科创板日报》22日讯,中国科学院微电子研究所宣布,该院刘新宇、汤益丹团队和中国科学院空间应用工程与技术中心刘彦民团队等开展合作,共同研制出首款国产高压抗辐射碳化硅 (SiC) 功率器件及其电源系统,已成功通过太空第一阶段验证并实现其在电源系统中的在轨应用。
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2024-12-01 21:12
【宁夏银川谋划储备1142个2025年重大项目 总投资近4000亿元】
财联社12月1日电,据宁夏银川市发改委消息,银川市目前已谋划储备1142个2025年重大项目,预计总投资3968亿元,年度计划投资1090亿元。其中,社会投资占比75%以上,装备制造、新材料、清洁能源等产业项目投资占比45%,亿元以上项目投资占比80%以上,创盛碳化硅等236个项目被列入宁夏重大项目库。
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2024-09-23 18:14
【拜登和莫迪宣布计划在印度建设芯片厂】
财联社9月23日电,美国和印度达成一项协议,将共同在印度建立一家芯片制造厂,以强化印度总理纳伦德拉·莫迪加强该国制造业的努力。这家计划中的工厂将生产红外、氮化镓和碳化硅芯片。
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2024-06-04 14:28
【意法半导体与吉利汽车集团签署长期碳化硅供应协议并建立联合实验室】
财联社6月4日电,意法半导体与吉利汽车集团宣布,双方已签署了一份长期碳化硅(SiC)供应协议,以加速双方在SiC器件方面的现有合作。此外,基于双方在多个汽车应用领域的长期合作,吉利和意法半导体建立了一个联合实验室,用来交流信息并探索与汽车电子/电气架构、高级驾驶辅助(ADAS)等相关的创新解决方案。
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2024-05-22 10:08
【东风汽车:智新半导体第二条生产线预计7月批量投产】
财联社5月22日电,东风汽车消息,东风与中车合作在武汉成立智新半导体,开展自主攻关,研发生产车规级的IGBT模块,并顺利实现了IGBT产品量产,一期产能30万只,主要生产400V硅基IGBT模块,与国外产品相比,价格降低50%,实现了国产IGBT模块从无到有的突破。智新半导体第二条生产线今年4月已经投用,规划产能40万只,兼容生产400V硅基IGBT模块和800V碳化硅模块,产线的国产化率达到70%,预计7月批量投产,10月大批量投用。此外,智新半导体正规划第三条生产线,规划年产能50万只,到2025年,智新半导体将达到总产能120万只IGBT模块,全力支撑“十四五”东风公司100万辆新能源车的销量目标。
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