《科创板日报》3日讯，三星电子DS部门内存业务部最近完成了HBM4内存逻辑芯片设计，Foundry业务部现已根据该设计采用4nm制程启动试生产。待完成逻辑芯片的最终性能验证后，三星电子将向客户提供其开发的HBM4内存样品。 (Chosun Biz)