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美光科技投资93亿美元扩建先进存储芯片项目 预计2028下半年出货HBM
财联社7月5日电,美光科技当地时间周六(7月4日)正式启动其位于日本西部广岛工厂的扩建工程。这项总投资达1.5万亿日元(约合93亿美元)的项目,旨在生产包括高带宽存储器(HBM)在内的先进存储芯片,以满足人工智能(AI)浪潮带来的旺盛需求。HBM是英伟达AI处理器的关键组件,工厂预计将于2028年夏季左右开始出货。近期,美光、三星电子和SK海力士各自都宣布了扩充制造能力的计划。本周早些时候,SK海力士宣布,计划投资80万亿韩元(约合514.6亿美元),在韩国忠清北道首府清州市新建一座NAND存储芯片工厂。
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